- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/1157 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H01L 27/1157
Brevets de cette classe: 3296
Historique des publications depuis 10 ans
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276
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Sandisk Technologies LLC | 5684 |
580 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
566 |
Kioxia Corporation | 9847 |
495 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
431 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
417 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
217 |
Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
76 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
63 |
Renesas Electronics Corporation | 6305 |
45 |
Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
44 |
Applied Materials, Inc. | 16587 |
38 |
Intel NDTM US LLC | 373 |
23 |
Sunrise Memory Corporation | 192 |
21 |
Toshiba Memory Corporation | 255 |
17 |
Intel Corporation | 45621 |
14 |
Tokyo Electron Limited | 11599 |
14 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
13 |
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
13 |
United Microelectronics Corp. | 3921 |
11 |
Infineon Technologies LLC | 597 |
11 |
Autres propriétaires | 187 |